перейти к полному списку дипломных проектов

Ссылка на скачивания файла в формате .doc находится в конце странички

При извлечении данных из памяти, заряд на “плавающем” затворе отсутствует, а на управляющий затвор подается заряд положительного направления

В 1971 году Intel выпускает совершенно новую микросхему памяти под аббревиатурой EPROM (Erasable Programmable ROM). Такую микросхему можно было подвергать неоднократной перезаписи путем облучения чипа рентгеновскими лучами. Память, стираемая ультрафиолетом, появляется немного позднее и носит аббревиатуру UV-EPROM. В такой микросхеме имеется небольшое окошко с кварцевым стеклом. За ним находится кристалл, который облучается ультрафиолетом. После стирания информации это окошко заклеивают. Частичная перезапись данных по-прежнему остается невозможной, так как рентгеновские и ультрафиолетовые лучи изменяют все биты стираемой области в положение 1. Повторная запись данных осуществляется также на программаторах (как в ROM и EROM). EPROM была основана на МОП (металл-оксид-полупроводник) транзисторах. Запись данных в ячейки такого транзистора производилась методом лавинной инжекции заряда (о методах записи будет сказано ниже). Этот метод давал возможность неоднократно перезаписывать данные памяти (хотя количество циклов было ограниченным). Таким образом, вместе с EPROM рождается поколение NVRWM, что расшифровывается как NonVolatile Read-Write Memory. Но, несмотря на абсолютно новую технологию, этот вид был вытеснен с рынка другими видами памяти.

Через восемь лет, в 1979 году после выхода EPROM, фирма Intel разрабатывает новый вид памяти, которая могла быть перезаписана частями. С помощью электрического тока становилось возможным изменение данных в определенной ячейке микросхемы. Это нововведение уменьшало время программирования, а также позволяло отказаться от внешних устройств-программаторов. Для записи данных память достаточно было подключить к системной шине микропроцессора, что значительно упрощало работу с микросхемой, поэтому стоимость EEPROM была высокой. Это неудивительно, так как технологии производства такой памяти были очень сложными. В отличие от предыдущего EPROM, увеличивалось количество циклов перезаписи информации.

Наконец в 1984 году компания Toshiba разрабатывает принципиально новый вид памяти под названием Flash. Сразу после этого начался интенсивный процесс развития этого вида, а EEPROM стремительно теряет позиции на рынке.[1]

Общие принципы работы флеш-памяти

Ячейки флеш-памяти существуют как на одном, так и на двух транзисторах. В простейшем случае каждая ячейка хранит один бит информации и состоит из одного полевого транзистора со специальной электрически изолированной областью ("плавающим" затвором - floating gate), способной хранить заряд многие годы. Наличие или отсутствие заряда кодирует один бит информации. При записи заряд помещается на плавающий затвор одним из двух способов (зависит от типа ячейки): методом инжекции "горячих" электронов или методом туннелирования электронов. Стирание содержимого ячейки (снятие заряда с "плавающего" затвора) производится методом тунеллирования. Как правило, наличие заряда на транзисторе понимается как логический "0", а его отсутствие - как логическая "1". Современная флеш-память изготавливается по 30-нм технологическому процессу. Принцип чтения микросхемы Flash довольно прост и базируется на законах квантовой механики. При извлечении данных из памяти, заряд на “плавающем” затворе отсутствует, а на управляющий затвор подается заряд положительного направления.

скачать бесплатно Восстановление данных с флеш-носителей

Содержание дипломной работы

Кроме того, она используется для хранения встроенного программного обеспечения в различных устройствах (маршрутизаторах, мини-АТС, принтерах, сканерах, модемax), различных контроллерах
При извлечении данных из памяти, заряд на “плавающем” затворе отсутствует, а на управляющий затвор подается заряд положительного направления
6 Одноуровневая и многоуровневая ячейка Через несколько лет после выпуска флеш-дисков были проведены успешные испытания микросхем, в которых ячейка хранила уже два бита
Выборка осуществляется путем подачи высокого напряжения на Word Line, подключенную к затвору, и наблюдения за разницей потенциалов между Select Line (исток) и Bit Line (сток)
Если на плавающем затворе находилось достаточное количество электронов, то их отрицательное поле препятствовало протеканию тока между истоком и стоком и напряжение оставалось высоким
Размер карты всего 24 x 32 x 1,4 мм, весят карты всего 1б5 грамма
Разъем состоит из девяти контактов, четыре из которых предназначены для передачи данных, один используется для передачи команд и еще один отведен под синхросигнал
Механические повреждения К повреждениям данного типа относятся любые, внешне заметные, повреждения, а именно: повреждения корпуса, изменения геометрии разъема, трещины, деформации и прочее
Разрушение внутренней структуры При разрушении внутренней структуры накопитель определяется с неправильной емкостью или вообще не определяется системой
), контроллер которых поврежден, либо содержащие значительные механические или электрические повреждения платы, препятствующие нормальному функционированию устройства
Бесплатно распространяемая демоверсия BadCopy показывает свои возможности в работе, но записать восстановленные данные на носитель можно будет только после регистрации программы
Несомненным достоинством R-Studio является то, что она хорошо понимает названия файлов и каталогов на кириллице, в большинстве случаев корректно сохраняя длинные имена и структуру дерева каталогов
Также, в случае повреждения таблицы разделов (не отображаются логические диски), можно ограничить область сканирования тем разделом, данные с которого Вам нужны
Корневой каталог (как и любой другой каталог в FAT32) содержит 32-байтовые элементы — дескрипторы, описывающие файлы и вложенные каталоги
Восстановление данных в файловой системе NTFS Файловая система NTFS содержит целый ряд механизмов, призванных повысить надежность хранения данных
Поиск таблицы MFT Номер первого кластера таблицы MFT содержится в поле Clusters to MFT загрузочного сектора
Аналогично значение поля Clusters per FRS, равное 245 (F5h), соответствует размеру записи MFT, равному 211 = 2048 байт, или 2 Кбайт
Восстановление данных с флеш носителей //Центр восстановления данных Стаханов URL:http://www
shtml Утилиты для восстановления данных//Центр Восстановления данных АСЕ URL:http://www