перейти к полному списку дипломных проектов

Ссылка на скачивания файла в формате .doc находится в конце странички

Выборка осуществляется путем подачи высокого напряжения на Word Line, подключенную к затвору, и наблюдения за разницей потенциалов между Select Line (исток) и Bit Line (сток)

В микросхеме с MLC (MultiLevel Cell) существует различие величин заряда, которые накапливаются на “плавающем” затворе. Благодаря этому различию, информация в ячейке может быть представлена различными битовыми комбинациями, то есть в отличие от "обычной" флеш-памяти, MLC способна различать более двух величин зарядов, помещённых на "плавающий" затвор, и, соответственно, большее число состояний. При этом каждому состоянию в соответствие ставится определенная комбинация значений бит. Величину заряда на затворе можно определить измерением порогового напряжения транзистора и по итогам этого измерения представить битовую комбинацию. В настоящее время многие компании находятся в поисках предельного числа бит, которое способна хранить многоуровневая ячейка. Во время записи на "плавающий" затвор помещается количество заряда, соответствующее необходимому состоянию. От величины заряда на "плавающем" затворе зависит пороговое напряжение транзистора. Пороговое напряжение транзистора можно измерить при чтении и определить по нему записанное состояние, а значит и записанную последовательность бит. Микросхемы с MLC нашли своё применение в технологии Intel Strata flash.[2]

Доступ к флеш-памяти

Различают три метода доступа к микросхеме: обычный, пакетный и страничный. Все они используются в зависимости от ситуации, так как отличаются по скорости доступа, имеют свои преимущества и недостатки.

Обычный доступ (Conventional). Произвольный асинхронный доступ к ячейкам памяти. Используется в тех ситуациях, когда необходимо считать малое количество информации с микросхемы памяти.

Пакетный (Burst). Синхронный, данные читаются параллельно, блоками по 16 или 32 бита за один раз. После чтения информации в буфер происходит синхронизация блоков, и, в конечном итоге, данные передаются уже последовательно. Преимущество перед обычным типом доступа - быстрое последовательное чтение данных. Недостаток - медленный доступ при чтении определённых ячеек памяти.

Страничный (Page). По принципу напоминает пакетный вид, но данные принимаются асинхронно, блоками по 4 или 8 слов. Преимущества - очень быстрый произвольный доступ в пределах текущей страницы. Недостаток - относительно медленное переключение между блоками.

В последнее время появились микросхемы флеш-памяти, позволяющие одновременную запись и стирание (RWW - Read While Write или Simultaneous R/W) в разные банки памяти.

Архитектура флеш-памяти

Существует несколько типов архитектур (организаций соединений между ячейками) флеш-памяти. Наиболее распространёнными в настоящее время являются микросхемы с организацией NOR и NAND.

NOR

Название NOR ведет свою родословную от логической операции Not OR (не «или»): если хотя бы один из транзисторов, подключенных к линии битов, включен, то считывается "0". NOR-Ячейки работают сходным с EPROM способом. Каждый транзистор-ячейка подключен к трем линиям: Word Line (линия слов), Select Line (линия выборки) и Bit Line (линия бит). Выборка осуществляется путем подачи высокого напряжения на Word Line, подключенную к затвору, и наблюдения за разницей потенциалов между Select Line (исток) и Bit Line (сток).

скачать бесплатно Восстановление данных с флеш-носителей

Содержание дипломной работы

Кроме того, она используется для хранения встроенного программного обеспечения в различных устройствах (маршрутизаторах, мини-АТС, принтерах, сканерах, модемax), различных контроллерах
При извлечении данных из памяти, заряд на “плавающем” затворе отсутствует, а на управляющий затвор подается заряд положительного направления
6 Одноуровневая и многоуровневая ячейка Через несколько лет после выпуска флеш-дисков были проведены успешные испытания микросхем, в которых ячейка хранила уже два бита
Выборка осуществляется путем подачи высокого напряжения на Word Line, подключенную к затвору, и наблюдения за разницей потенциалов между Select Line (исток) и Bit Line (сток)
Если на плавающем затворе находилось достаточное количество электронов, то их отрицательное поле препятствовало протеканию тока между истоком и стоком и напряжение оставалось высоким
Размер карты всего 24 x 32 x 1,4 мм, весят карты всего 1б5 грамма
Разъем состоит из девяти контактов, четыре из которых предназначены для передачи данных, один используется для передачи команд и еще один отведен под синхросигнал
Механические повреждения К повреждениям данного типа относятся любые, внешне заметные, повреждения, а именно: повреждения корпуса, изменения геометрии разъема, трещины, деформации и прочее
Разрушение внутренней структуры При разрушении внутренней структуры накопитель определяется с неправильной емкостью или вообще не определяется системой
), контроллер которых поврежден, либо содержащие значительные механические или электрические повреждения платы, препятствующие нормальному функционированию устройства
Бесплатно распространяемая демоверсия BadCopy показывает свои возможности в работе, но записать восстановленные данные на носитель можно будет только после регистрации программы
Несомненным достоинством R-Studio является то, что она хорошо понимает названия файлов и каталогов на кириллице, в большинстве случаев корректно сохраняя длинные имена и структуру дерева каталогов
Также, в случае повреждения таблицы разделов (не отображаются логические диски), можно ограничить область сканирования тем разделом, данные с которого Вам нужны
Корневой каталог (как и любой другой каталог в FAT32) содержит 32-байтовые элементы — дескрипторы, описывающие файлы и вложенные каталоги
Восстановление данных в файловой системе NTFS Файловая система NTFS содержит целый ряд механизмов, призванных повысить надежность хранения данных
Поиск таблицы MFT Номер первого кластера таблицы MFT содержится в поле Clusters to MFT загрузочного сектора
Аналогично значение поля Clusters per FRS, равное 245 (F5h), соответствует размеру записи MFT, равному 211 = 2048 байт, или 2 Кбайт
Восстановление данных с флеш носителей //Центр восстановления данных Стаханов URL:http://www
shtml Утилиты для восстановления данных//Центр Восстановления данных АСЕ URL:http://www