перейти к полному списку дипломных проектов

Ссылка на скачивания файла в формате .doc находится в конце странички

Если на плавающем затворе находилось достаточное количество электронов, то их отрицательное поле препятствовало протеканию тока между истоком и стоком и напряжение оставалось высоким

Если на плавающем затворе находилось достаточное количество электронов, то их отрицательное поле препятствовало протеканию тока между истоком и стоком и напряжение оставалось высоким. Такое состояние полагается в терминах флеш-памяти нулем, в противоположном случае считывается единица.

Интерфейс - параллельный. Возможно как произвольное чтение, так и запись.

Программирование - методом инжекции "горячих" электронов.

Стирание - методом туннеллирования Фаулера-Нордхейма.

Преимущества - быстрый произвольный доступ, возможность побайтной записи. Недостатки - относительно медленная запись и стирание.

Основные производители: AMD, Intel, Sharp, Micron, Ti, Toshiba, Fujitsu, Mitsubishi, SGS-Thomson, STMicroelectronics, SST, Samsung, Winbond, Macronix, NEC, UMC.

Из двух типов имеет наибольший размер ячейки, а потому плохо масштабируется. Единственный тип памяти, работающий на двух разных напряжениях. Идеально подходит для хранения кода программ (PC BIOS, сотовые телефоны), представляет собой идеальную замену обычному EEPROM.

NAND

NAND является более выгодным, с точки зрения экономии пространства, способом организации ячеек. Транзисторы подключаются к битовым линиям группами, то есть последовательно. Если все транзисторы группы открыты, включены, Bit Line заземляется, напряжение между ней и Word Line падает до нуля: срабатывает логика Not AND (не «и») - если все элементы равны 1, то выдается 0. Правда, считывание затруднено вследствие падения напряжения на гирлянде транзисторов, однако скорость обращения повышается за счет адресации сразу целой группы битов. При произвольном доступе достоинство превращается в недостаток, и NAND-чипы обычно отличаются от NOR наличием дополнительного внутреннего кэша. Учитывая всё вышесказанное, NAND-память представляет собой наиболее подходящий тип памяти для устройств, ориентированных на блочный обмен: MP3 плееров, цифровых камер и в качестве заменителя жёстких дисков.[5]

Рис.8 Архитектура NOR[12]

Доступ - произвольный, но небольшими блоками, которые можно рассматривать как кластеры жёсткого диска.

Интерфейс – последовательный, произвольное чтение и запись невозможны. Не очень подходит для задач, требующих произвольного доступа к данным.

Преимущества – запись и стирание информации осуществляются на высокой скорости, размер блока небольшой.

Недостатки - относительно медленный произвольный доступ, невозможность побайтной записи, необходимость использовать внутренний кэш.

Основные производители - Toshiba, AMD/Fujitsu, Samsung, National, Mitsubishi.

Программирование - туннеллированием Фаулера-Нордхейма, в отличие от NOR-памяти.

Стирание - туннеллированием Фаулера-Нордхейма, в этом сходство с NOR-памятью.

Развитие технологии флеш-памяти происходит, в основном, в области совершенствования конструкции ячеек. Так, появились варианты с двумя транзисторами: один из пары является обыкновенным транзистором, изолирующим ячейку от Word Line. Благодаря этому удалось избавиться от паразитных перекрестных наводок, возникающих при стирании одной из страниц данных, а также снизить напряжение программирования.

скачать бесплатно Восстановление данных с флеш-носителей

Содержание дипломной работы

Кроме того, она используется для хранения встроенного программного обеспечения в различных устройствах (маршрутизаторах, мини-АТС, принтерах, сканерах, модемax), различных контроллерах
При извлечении данных из памяти, заряд на “плавающем” затворе отсутствует, а на управляющий затвор подается заряд положительного направления
6 Одноуровневая и многоуровневая ячейка Через несколько лет после выпуска флеш-дисков были проведены успешные испытания микросхем, в которых ячейка хранила уже два бита
Выборка осуществляется путем подачи высокого напряжения на Word Line, подключенную к затвору, и наблюдения за разницей потенциалов между Select Line (исток) и Bit Line (сток)
Если на плавающем затворе находилось достаточное количество электронов, то их отрицательное поле препятствовало протеканию тока между истоком и стоком и напряжение оставалось высоким
Размер карты всего 24 x 32 x 1,4 мм, весят карты всего 1б5 грамма
Разъем состоит из девяти контактов, четыре из которых предназначены для передачи данных, один используется для передачи команд и еще один отведен под синхросигнал
Механические повреждения К повреждениям данного типа относятся любые, внешне заметные, повреждения, а именно: повреждения корпуса, изменения геометрии разъема, трещины, деформации и прочее
Разрушение внутренней структуры При разрушении внутренней структуры накопитель определяется с неправильной емкостью или вообще не определяется системой
), контроллер которых поврежден, либо содержащие значительные механические или электрические повреждения платы, препятствующие нормальному функционированию устройства
Бесплатно распространяемая демоверсия BadCopy показывает свои возможности в работе, но записать восстановленные данные на носитель можно будет только после регистрации программы
Несомненным достоинством R-Studio является то, что она хорошо понимает названия файлов и каталогов на кириллице, в большинстве случаев корректно сохраняя длинные имена и структуру дерева каталогов
Также, в случае повреждения таблицы разделов (не отображаются логические диски), можно ограничить область сканирования тем разделом, данные с которого Вам нужны
Корневой каталог (как и любой другой каталог в FAT32) содержит 32-байтовые элементы — дескрипторы, описывающие файлы и вложенные каталоги
Восстановление данных в файловой системе NTFS Файловая система NTFS содержит целый ряд механизмов, призванных повысить надежность хранения данных
Поиск таблицы MFT Номер первого кластера таблицы MFT содержится в поле Clusters to MFT загрузочного сектора
Аналогично значение поля Clusters per FRS, равное 245 (F5h), соответствует размеру записи MFT, равному 211 = 2048 байт, или 2 Кбайт
Восстановление данных с флеш носителей //Центр восстановления данных Стаханов URL:http://www
shtml Утилиты для восстановления данных//Центр Восстановления данных АСЕ URL:http://www