перейти к полному списку дипломных проектов
Ссылка на скачивания файла в формате .doc находится в конце странички
6 Одноуровневая и многоуровневая ячейка
Через несколько лет после выпуска флеш-дисков были проведены успешные испытания микросхем, в которых ячейка хранила уже два бита
Под его воздействием между стоком и истоком создается канал трассировки (свободная зона на кристалле транзистора, выделенная для реализации межсоединений ячеек). Все это происходит за счет туннельного эффекта, а данные памяти затем можно считывать с истока. Если на “плавающем” затворе имеется заряд, то обычного напряжения (которое подается при чтении) недостаточно. Поэтому при записи применяют метод инжекции электронов. Суть его заключается в следующем: на управляющий затвор и исток подается высокое напряжение (причем на затворе оно в два раза выше). Благодаря этому напряжению, электроны способны преодолеть тонкую пленку диэлектрика и попасть на “плавающий” затвор. Такой процесс получил название “инжекция горячих электронов” (термин “горячий” условен, электроны были названы так, потому что обладают высокой энергией, достаточной для преодоления диэлектрика). Чтобы стереть информацию из памяти, достаточно подать высокое положительное напряжение на исток. Под его воздействием отрицательные электроны с “плавающего” затвора (благодаря туннельному эффекту) переходят в область истока. Процесс продолжается до полной разрядки затвора. Ускорить метод туннелирования электронов можно путем подачи дополнительного высокого отрицательного напряжения на управляющий затвор. Эффект туннелирования - один из эффектов, использующих волновые свойства электрона. Сам эффект заключается в преодолении электроном потенциального барьера малой "толщины". Для наглядности представим себе структуру, состоящую из двух проводящих областей, разделенных тонким слоем диэлектрика (обеднённая область). Преодолеть этот слой обычным способом электрон не может - не хватает энергии. Но при создании определённых условий (соответствующее напряжение и т.п.) электрон проскакивает слой диэлектрика (туннелирует сквозь него), создавая ток. Важно отметить, что при туннелировании электрон оказывается "по другую сторону", не проходя через диэлектрик. При этом электроны с “плавающего” затвора будут отталкиваться в сторону диэлектрика, а время эффекта значительно уменьшится. Мы рассмотрели простейший случай, когда каждая ячейка Flash хранит один бит информации и состоит из одного полевого транзистора. Перезапись и стирание Flash значительно изнашивает микросхему, поэтому технологии производства памяти постоянно совершенствуются, внедряются оптимизирующие способы записи микросхемы, а также алгоритмы, направленные на равномерное использование всех ячеек в процессе работы.[2]
Чтение, запись, стирание простейшей ячейки
Рассмотрим простейшую ячейку флеш-памяти на одном n-p-n транзисторе. Ячейки подобного типа чаще всего применялись во flash-памяти с NOR архитектурой, а также в микросхемах EPROM. Поведение транзистора зависит от количества электронов на "плавающем" затворе. "Плавающий" затвор играет ту же роль, что и конденсатор в DRAM, т. е. хранит запрограммированное значение.[3]
Многоуровневые ячейки
Рис. 6 Одноуровневая и многоуровневая ячейка
Через несколько лет после выпуска флеш-дисков были проведены успешные испытания микросхем, в которых ячейка хранила уже два бита. На такую память можно было записать в два раза больше информации. В настоящее время уже существуют теоретические разработки памяти с четырехбитными ячейками.
скачать бесплатно Восстановление данных с флеш-носителей
Содержание дипломной работы
Кроме того, она используется для хранения встроенного программного обеспечения в различных устройствах (маршрутизаторах, мини-АТС, принтерах, сканерах, модемax), различных контроллерах
При извлечении данных из памяти, заряд на “плавающем” затворе отсутствует, а на управляющий затвор подается заряд положительного направления
6 Одноуровневая и многоуровневая ячейка
Через несколько лет после выпуска флеш-дисков были проведены успешные испытания микросхем, в которых ячейка хранила уже два бита
Выборка осуществляется путем подачи высокого напряжения на Word Line, подключенную к затвору, и наблюдения за разницей потенциалов между Select Line (исток) и Bit Line (сток)
Если на плавающем затворе находилось достаточное количество электронов, то их отрицательное поле препятствовало протеканию тока между истоком и стоком и напряжение оставалось высоким
Размер карты всего 24 x 32 x 1,4 мм, весят карты всего 1б5 грамма
Разъем состоит из девяти контактов, четыре из которых предназначены для передачи данных, один используется для передачи команд и еще один отведен под синхросигнал
Механические повреждения
К повреждениям данного типа относятся любые, внешне заметные, повреждения, а именно: повреждения корпуса, изменения геометрии разъема, трещины, деформации и прочее
Разрушение внутренней структуры
При разрушении внутренней структуры накопитель определяется с неправильной емкостью или вообще не определяется системой
), контроллер которых поврежден, либо содержащие значительные механические или электрические повреждения платы, препятствующие нормальному функционированию устройства
Бесплатно распространяемая демоверсия BadCopy показывает свои возможности в работе, но записать восстановленные данные на носитель можно будет только после регистрации программы
Несомненным достоинством R-Studio является то, что она хорошо понимает названия файлов и каталогов на кириллице, в большинстве случаев корректно сохраняя длинные имена и структуру дерева каталогов
Также, в случае повреждения таблицы разделов (не отображаются логические диски), можно ограничить область сканирования тем разделом, данные с которого Вам нужны
Корневой каталог (как и любой другой каталог в FAT32) содержит 32-байтовые элементы — дескрипторы, описывающие файлы и вложенные каталоги
Восстановление данных в файловой системе NTFS
Файловая система NTFS содержит целый ряд механизмов, призванных повысить надежность хранения данных
Поиск таблицы MFT
Номер первого кластера таблицы MFT содержится в поле Clusters to MFT загрузочного сектора
Аналогично значение поля Clusters per FRS, равное 245 (F5h), соответствует размеру записи MFT, равному 211 = 2048 байт, или 2 Кбайт
Восстановление данных с флеш носителей //Центр восстановления данных Стаханов URL:http://www
shtml
Утилиты для восстановления данных//Центр Восстановления данных АСЕ URL:http://www
